FET，即场效应晶体管(Field Effect Transistor)，由p型半导体和n型半导体构成的pn结组成。场效应晶体管是一种利用电场效应来控制电流的电子器件，包括源极、栅极和漏极。通过施加电压到栅极上来控制电流的流动，进而改变漏极和源极之间的电导率。因为只需要一种载流子起作用，所以场效应晶体管又称为单极型晶体管，即以电子或空穴中的一种作为载流子。目前已经出现了许多不同类型的场效应晶体管，通常在低频时显示出非常高的输入阻抗。